PECVD管式炉

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设备概述

PECVD管式炉是一种结合管式加热系统与等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术的复合设备，通过在中低温环境下利用等离子体激活反应气体，实现高质量薄膜沉积。该设备广泛应用于光伏、半导体、柔性电子、纳米材料等领域的薄膜制备

产品特点

1.低温成膜：等离子体激活使沉积温度比传统CVD低300-500℃，适合聚合物/柔性基底
2.高质薄膜：致密无针孔，附着力强
3.高沉积速率：比热CVD快3-5倍，提升产线吞吐量
4.组分精确可控：通过调节气体比例实现SiNx中[N]/[Si]比1.2-1.8可调

 

炉管尺寸（Φ*L）

最高温度

加热元件

极限真空度

炉管材质
Φ60*2200-Φ120*2200mm可选

1200℃

电阻丝

6.7*10-4pa

高纯石英管
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