CVD管式炉

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设备概述

CVD管式炉是一种通过高温气相化学反应在基底表面沉积固态薄膜的管式加热设备，广泛应用于半导体、纳米材料、光伏、涂层制备等领域。该设备通过精确控制温度、气体流量和反应压力，实现高质量薄膜的可控生长

产品特点

1.高温高质量成膜：高温（≥800℃）下薄膜致密、结晶性好（如单晶SiC外延）
2.大面积均匀性：多温区加热+气体分流设计，膜厚不均匀性＜5%
3.高纯度环境：真空/惰性气氛避免污染，适合半导体级薄膜生长
4.多功能兼容：一机多用（如石墨烯生长+SiO₂沉积）

 

炉管尺寸（Φ*L）

最高温度

加热元件

极限真空度

炉管材质

Φ60*2200-Φ120*2200mm可选

1200℃

电阻丝

6.7*10-4pa

高纯石英管
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